特許
J-GLOBAL ID：200903094468554151
電界効果トランジスタ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
煤孫 耕郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-026248
公開番号（公開出願番号）：特開平8-203932
出願日： 1995年01月20日
公開日（公表日）： 1996年08月09日
要約：
【要約】【目的】 半導体素子部分の材料としてIII-V 族化合物半導体を用いた電界効果トランジスタにおいて、半導体素子の特性を劣化させることのない表面安定化保護膜を有する電界効果トランジスタを提供する。【構成】 半導体素子部分の材料としてIII-V 族化合物半導体を用いた電界効果トランジスタにおいて、表面に露出した半導体を保護する保護膜の材料として、III-V 族化合物半導体の格子定数とほぼ等しい格子定数を有するように組成を選んだII-IV-V2族カルコパイライト(例えば、(Cd0.96Zn0.04)Si2)を用いる。
請求項（抜粋）：
III-V 族化合物半導体を用いた電界効果トランジスタにおいて、表面に露出した半導体を保護する保護膜の材料として、前記III-V 族化合物半導体の延長上(III-V 族のIII 族原子2ヶをII族原子とIV族原子で置換する)にあるII-IV-V2族カルコパイライトの内、III-V 族化合物半導体の格子定数とほぼ等しい格子定数を有する材料を用いることを特徴とする電界効果トランジスタ。
IPC (3件)：
H01L 21/338
, H01L 29/812
, H01L 21/314
