特許
J-GLOBAL ID：200903094471254240
薄膜電界効果型トランジスタ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-318168
公開番号（公開出願番号）：特開平5-211166
出願日： 1991年12月02日
公開日（公表日）： 1993年08月20日
要約：
【要約】【目的】背面露光により形成したパッシベーション絶縁膜をマスクとしてイオン注入と金属シリサイド形成を行ないゲード電極に対して自己整合的にソース・ドレイン電極を形成する薄膜トランジスタにおいて、該パッシベーション絶縁膜の最終的構造を最適化する。【構成】絶縁性基板上に、ゲート電極1を形成し、これにゲート絶縁膜2,非晶質シリコン3,第1の保護膜7を堆積後、背面露光により第1の保護膜7をゲート電極の形状にパタン形成を行なう。これをマスクとしてソース・ドレイン領域にイオン注入を行ないn型領域を形成し、しかるのちに第1の保護膜7を除去し、第2の保護膜8を堆積し、再び背面露光により第2の保護膜8をゲート電極の形状にパタン形成を行ない、これをマスクとしてシリサイド電極を形成し、しかるのちに第2の保護膜8を除去する。
請求項（抜粋）：
絶縁性基板上に、基板側からゲート電極、ゲート絶縁膜、島状非晶質シリコン膜の順に配置され、該島状非晶質シリコン膜上にソース電極およびドレイン電極として金属シリサイドがゲート電極に対して自己整合的に配置され、該ソース・ドレイン電極と非晶質シリコン層とのコンタクトのために不純物導入を行い低抵抗化した領域を有し、この不純物導入領域が該ソース・ドレイン電極よりチャネルよりに300A以上広がっている構造を有する自己整合型薄膜電界効果型トランジスタにおいて、該構造を作成する過程でチャネル上に形成した非晶質絶縁膜をすべて除去してあることを特徴とする薄膜電界効果型トランジスタ。
IPC (2件)：
H01L 21/336
, H01L 29/784
