特許
J-GLOBAL ID:200903094472264966

照度センサ

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 西川 惠清 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-117313
公開番号(公開出願番号):特開2000-307132
出願日: 1999年04月23日
公開日(公表日): 2000年11月02日
要約:
【要約】【課題】耐ノイズ性を向上させた小型で低コストの照度センサを提供する。【解決手段】光起電力素子SBは太陽電池からなり、両端間に抵抗R1が接続される。スイッチング素子SWは、ソース同士及びゲート同士をそれぞれ共通接続した2個のディプレッション型のMOSFET1,2からなり、両MOSFET1,2のゲート・ソース間にコンデンサC1が接続される。両MOSFET1,2のゲートは光起電力素子SBの正極側の端子に接続される。また、両MOSFET1,2のソースは抵抗R2及びダイオードD1の並列回路を介して光起電力素子SBの負極側の端子に接続される。各回路素子を収納するハウジング10にはワイヤフレーム20がインサート成形され、ハウジング10の一面に設けられた凹所11の底面にワイヤフレーム20の素子実装部20aが露出しており、ワイヤフレーム20の素子実装部20aに各回路素子が実装される。
請求項(抜粋):
外光の明るさに応じた電圧を発生する太陽電池からなる光起電力素子と、光起電力素子の出力電圧を受けてオン/オフされるスイッチング素子と、光起電力素子の出力を制御する制御素子とを備え、光起電力素子とスイッチング素子と制御素子とは、入出力端子部を一体成形した樹脂成型品からなるハウジングの内部に実装され、各素子間が電気的に接続されており、上記スイッチング素子はソース同士およびゲート同士をそれぞれ共通接続した2個のディプレッション型のMOSFETからなり、両MOSFETのソースに光起電力素子の正極側の端子が接続され、両MOSFETのゲートに光起電力素子の負極側の端子が接続されたことを特徴とする照度センサ。
Fターム (5件):
5F088BA15 ,  5F088BA20 ,  5F088BB10 ,  5F088JA06 ,  5F088KA10

前のページに戻る