固体撮像装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小鍜治明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-263528
公開番号（公開出願番号）：特開平5-102457
出願日： 1991年10月11日
公開日（公表日）： 1993年04月23日
要約：

【要約】【目的】暗出力の低減、読みだし電圧の安定化および低電圧化を実現できる固体撮像装置の製造方法を提供する。【構成】 P型シリコン基板1に、光電変換素子を構成するN型不純物領域2とN型埋め込みチャネル領域3および絶縁膜4を介して設けた読みだし電極5からなる転送素子を形成した後、絶縁膜6を形成し、読みだし電極5の側壁にサイドウォール7を形成する工程と、読みだし電極5およびサイドウォール7をマスクとしてイオン注入しN型不純物領域2の表面にP+型不純物領域8を形成する工程とを有する。

請求項（抜粋）：

一導電型の半導体基板の上に光電変換素子を構成する逆導電型の第1の不純物領域を選択的に形成する工程と、前記半導体基板の上に前記光電変換素子からの信号電荷を転送する転送素子を構成する逆導電型の埋め込みチャネル領域を形成する工程と、前記光電変換素子からの信号電荷を読みだし転送する読みだし電極を前記埋め込みチャネル領域の上を含んで絶縁膜を介して形成する工程と、前記読みだし電極の上を含んで半導体基板の上に絶縁性の第1の膜と前記第1の膜とは異なる第2の膜とを形成する工程と、前記第2の膜を選択的に除去して前記読みだし電極の側壁に第2の膜からなるサイドウォールを形成する工程と、前記読みだし電極とその側壁のサイドウォールによる自己整合により前記第1の不純物領域の表面に一導電型の第2の不純物領域を形成する工程とを有する固体撮像装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 27/148 , H01L 21/265

FI (2件)：

H01L 27/14 B , H01L 21/265 S

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