特許

J-GLOBAL ID：200903094478938446

金属膜用研磨組成物

発明者： 横田 昌久 ,  高橋 秀明 ,  松田 隆之
出願人/特許権者： 旭化成株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-221954
公開番号（公開出願番号）：特開2002-043258
出願日： 2000年07月24日
公開日（公表日）： 2002年02月08日
要約：

【要約】【課題】 半導体基板上の金属膜を平坦化する工程において、金属膜を高速に研磨し、かつ金属膜/絶縁膜の研磨選択性および段差平坦性に優れ、スクラッチ、ディッシング等研磨面の欠陥の発生も抑制できる金属研磨用組成物およびそれを用いてなる半導体基板上の金属膜の平坦化方法ならびに半導体基板の製造方法を提供する。【解決手段】 金属研磨用組成物として、酸化鉄(III)、および酸化鉄(III)とアルミナ、セリア、ゲルマニア、シリカ、チタニア、およびジルコニアから選ばれた少なくとも一種との複合材料よりなる群から選ばれた少なくとも1種からなる研磨材を主成分とし、水、さらに必要に応じて低結晶性微細セルロースを用いる。

請求項（抜粋）：

(A)酸化鉄(III)、および酸化鉄(III)とアルミナ、セリア、ゲルマニア、シリカ、チタニア、およびジルコニアから選ばれた少なくとも一種との複合材料よりなる群から選ばれた少なくとも1種からなる研磨材、(B)水を含んでなることを特徴とする金属膜用の研磨組成物。

IPC (5件)：

H01L 21/304 622 ,  B24B 37/00 ,  C09K 3/14 550 ,  C09K 3/14 ,  H01L 21/308

FI (5件)：

H01L 21/304 622 D ,  B24B 37/00 H ,  C09K 3/14 550 D ,  C09K 3/14 550 Z ,  H01L 21/308 F

Fターム (11件)：

3C058CB01 ,  3C058CB02 ,  3C058CB03 ,  3C058DA02 ,  3C058DA12 ,  3C058DA17 ,  5F043AA24 ,  5F043AA26 ,  5F043BB30 ,  5F043DD16 ,  5F043FF07