特許

J-GLOBAL ID：200903094487299111

半導体集積回路

発明者： 尾原 恵英
出願人/特許権者： 日本電気アイシーマイコンシステム株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-075931
公開番号（公開出願番号）：特開平6-291267
出願日： 1993年04月01日
公開日（公表日）： 1994年10月18日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】MOSトランジスタにより形成される半導体集積回路において、当該MOSトランジスタにより構成される内部回路の応答時間および電流量等を制御する手法を提供し、設計の自由度を上げる。【構成】本発明の半導体集積回路は、PチャネルMOSトランジスタ1〜4およびNチャネルMOSトランジスタ5〜8を用いて形成される4段のインバータにより、入力信号101および出力信号102に対応する遅延回路として構成されている。こゝでPチャネルMOSトランジスタ1〜4およびNチャネルMOSトランジスタ5〜8の基板電位をそれぞれ任意の電位レベルに制御し設定することにより、これらのPチャネルMOSトランジスタおよびNチャネルMOSトランジスタの応答時間および電流量等を制御調整することが可能となり、また回路設計の自由度が高められる。

請求項（抜粋）：

MOSトランジスタにより構成される半導体集積回路において、少なくとも一つ以上のMOSトランジスタの基板に対して、共通または独立に任意の電位レベルの基板電位を供給する電源供給手段を備えることを特徴とする半導体集積回路。

IPC (3件)：

H01L 27/092 ,  H01L 27/04 ,  H01L 29/784

FI (2件)：

H01L 27/08 321 D ,  H01L 29/78 301 J

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平4-125960
  
• 特開昭58-052869
  
• 特開昭63-299161
  
• 特開昭61-220469