特許
J-GLOBAL ID：200903094492181480

半導体装置の製造方法

発明者：
柳田 敏治

柳田 敏治 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-227960
公開番号（公開出願番号）：特開平10-074766
出願日： 1996年08月29日
公開日（公表日）： 1998年03月17日
要約：
【要約】【課題】 フリップ・チップ・ボンディング法においてハンダ・ボールの再配置を行う際の、表面保護膜とBLM膜との密着性を向上させる。【解決手段】 変形レジスト・パターン5dを利用したリフトオフ法によりAlパッド電極2a,2bにハンダ・ボール下のバリヤメタルとなるBLM膜6a,6bを被着させる際、BLM膜のスパッタ成膜前にウェハ加熱を行い、1層目ポリイミド膜4に含まれる水分を脱離させる。再配置プロセスではAl電極パッド2bとハンダ・ボールとを接続する配線をBLM膜6bで作成するが、この水分脱離によりBLM膜6bのスパッタ成膜時の脱ガスが抑制されるので、1層目ポリイミド4膜上でのBLM膜6bの剥離が防止される。ウェハ加熱は、Ar+ 逆スパッタリングによる変形レジスト・パターン5dの形成(オーバーハング形状化)と同時に行っても良い。
請求項（抜粋）：
デバイス・チップ上に形成された複数のパッド電極の各々に表面保護膜の開口部を介して接続する下地金属膜をレジスト・パターンを利用するリフトオフ法により形成し、該パッド電極の直上で該下地金属膜に接続するハンダ・ボールと、該パッド電極の形成領域外で該下地金属膜の延在部に接続するハンダ・ボールとを同時に形成する半導体装置の製造方法であって、前記下地金属膜を形成する直前に、基体を加熱することにより前記表面保護膜のキュアを行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
FI (2件)：
H01L 21/92 604 P ,  H01L 21/92 604 S
引用特許：
審査官引用 (3件)

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