特許
J-GLOBAL ID：200903094497599873
半導体製造装置のガス配管方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 敏明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-117446
公開番号（公開出願番号）：特開平5-315252
出願日： 1992年05月11日
公開日（公表日）： 1993年11月26日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、半導体製造装置、中でも主として常圧CVD装置のガス配管の構成方法に関するもので、複数の液体ソースを気化させてソースガスを供給する複数の装置であるバブラーからのガス圧力が、そのガスを送り込むキャリアの窒素を流すメイン配管の圧力より非常に低く差があることにより、特に成膜開始時、ガスの流れに一時的に停滞を起こし、良好な成膜ができないことを除去するような配管を提供することを目的とするものである。【構成】 前記目的のため本発明は、前記複数バブラー1、2、3からのガスを一旦ベント側共通配管11で混合した上、メイン配管10に送り込むようにしたものである。
請求項（抜粋）：
複数の液体ソースを気化してその気化したガスを他のガスと混合させて、半導体基板の成膜装置に供給するような半導体製造装置のガス配管構成として、前記気化ガスを供給する複数の装置の各ガス排出管をバルブを介して、先ず前記各ガスを混合させるために共通にした配管を設け、該共通の配管を前記複数のガス以外のガスが流れている配管にバルブを介して接続し、前記液体ソースを気化した複数のガスを該複数のガス以外のガスと混合させる前に、混合させるようにしたことを特徴とする半導体製造装置のガス配管方法。
引用特許：
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