特許

J-GLOBAL ID：200903094497690447

化学増幅型レジスト材料及びそれを用いたパターン形成方法

発明者： 遠藤 政孝 ,  笹子 勝
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (11件)： 前田 弘 ,  竹内 宏 ,  嶋田 高久 ,  竹内 祐二 ,  今江 克実 ,  藤田 篤史 ,  二宮 克也 ,  原田 智雄 ,  井関 勝守 ,  関 啓 ,  杉浦 靖也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-270431
公開番号（公開出願番号）：特開2008-089952
出願日： 2006年10月02日
公開日（公表日）： 2008年04月17日
要約：

【課題】波長が300nm帯又はそれ以下の露光光に対して溶解コントラストを高め、パターンの解像性を向上できるようにする。【解決手段】パターン形成方法は、基板101の上に、酸により脱離する第1の酸不安定基で置換されたフマル酸と、アルカリ性溶液に可溶なアルカリ可溶性ポリマーと、光の照射により酸を発生する光酸発生剤とを含む化学増幅型レジスト材料からレジスト膜102を形成する。続いて、形成されたレジスト膜102に露光光104を選択的に照射してパターン露光を行なう。その後、パターン露光が行なわれたレジスト膜102を現像することにより、レジストパターン102aを形成する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

酸により脱離する第1の酸不安定基で置換されたフマル酸と、 アルカリ性溶液に可溶なアルカリ可溶性ポリマーと、 光の照射により酸を発生する光酸発生剤とを含むことを特徴とする化学増幅型レジスト材料。

IPC (3件)：

G03F 7/004 ,  H01L 21/027 ,  G03F 7/039

FI (3件)：

G03F7/004 501 ,  H01L21/30 502R ,  G03F7/039 601

Fターム (11件)：

2H025AA03 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE07 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025CC00 ,  2H025FA17 ,  2H025FA29