特許

J-GLOBAL ID：200903094498447791

光起電力モジュールの製造方法

発明者： 榊原 孝久 ,  蔵本 慶一 ,  伊豆 博昭 ,  木山 精一
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 西岡 伸泰
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-156791
公開番号（公開出願番号）：特開平8-330617
出願日： 1995年05月30日
公開日（公表日）： 1996年12月13日
要約：

【要約】【目的】 複数の光起電力素子7を互いに接続してなる光起電力モジュールの製造方法に於いて、レーザ加工に起因する起電力低下を防止する。【構成】 p型単結晶シリコン層1及びn型単結晶シリコン層2からなる光起電力素子層を形成する素子層形成工程と、形成された光起電力素子層をレーザ加工によって複数の光起電力素子7に分離する分離工程と、分離された複数の光起電力素子を互いに接続する接続工程とを有し、素子層形成工程では、レーザ加工が施される領域にイオンを注入して、該領域に高抵抗層5を形成した後、レーザ加工を施し、分割溝6を形成する。

請求項（抜粋）：

複数の光起電力素子を互いに接続してなる光起電力モジュールの製造方法に於いて、光起電力素子層を形成する素子層形成工程と、形成された光起電力素子層をレーザ加工によって複数の光起電力素子に分離する分離工程と、分離された複数の光起電力素子を互いに接続する接続工程とを有し、素子層形成工程では、レーザ加工が施される領域にイオンを注入して、該領域を高抵抗化した後、レーザ加工を施すことを特徴とする光起電力モジュールの製造方法。

IPC (2件)：

H01L 31/042 ,  H01L 21/265

FI (2件)：

H01L 31/04 C ,  H01L 21/265 J