半導体保護素子

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-154878
公開番号（公開出願番号）：特開平5-347382
出願日： 1992年06月15日
公開日（公表日）： 1993年12月27日
要約：

【要約】【目的】短冊状のパターンを有する拡散層により構成される半導体保護素子の保護能力を高める。【構成】短冊状の拡散層1のコンタクトホール3とコーナー部4との間隔をコンタクトホール3と拡散層1の長辺部5との間隔よりも大きくすることにより、サージ電流がコーナー部4に集中して流れることを防止し、半導体保護素子の静電破壊耐圧を高める。

請求項（抜粋）：

短冊状のパターンを有する拡散層と、前記拡散層上に設けてコンタクトホールを介し前記拡散層と電気的に接続する配線とを有する半導体保護素子において、前記コンタクトホールと前記拡散層のコーナー部との間隔が前記コンタクトホールと前記拡散層の長辺部との間隔よりも十分長い距離を有することを特徴とする半導体保護素子。

IPC (2件)：

H01L 27/04 , H01L 23/60

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開平1-304763
特開平3-257959
特開昭61-110455

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