特許
J-GLOBAL ID：200903094508849362
半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
早瀬 憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-166212
公開番号（公開出願番号）：特開平10-012722
出願日： 1996年06月26日
公開日（公表日）： 1998年01月16日
要約：
【要約】【課題】 エアブリッジの製造が簡単で、かつエアブリッジの第2層配線と,第1層配線とがショートを起こさないような構造を備えた半導体装置を提供することを目的とする。【解決手段】 本発明の半導体装置は、半導体基板上に形成された第1層配線3と、該第1層配線3をまたいで形成された第2層配線(上層)1とを有するエアブリッジ構造を備え、上記第2層配線1は、2000オングストローム以上の厚みを有する金属層からなる補強層(下層)2が形成されたものである。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に形成された第1層配線と、該第1層配線をまたいで形成された第2層配線とを有するエアブリッジ構造を備え、上記第2層配線には、2000オングストローム以上の厚みを有する金属層からなる補強層が形成されてなることを特徴とする半導体装置。
引用特許：
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