特許
J-GLOBAL ID：200903094513914083
アクティブマトリクス基板
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-238596
公開番号（公開出願番号）：特開平6-082829
出願日： 1992年09月07日
公開日（公表日）： 1994年03月25日
要約：
【要約】【目的】 光の照射によってTFTのオフ特性が悪化することなしに、良好な品位を有する液晶表示が可能なアクティブマトリクス基板を提供する。【構成】 絵素電極と、格子状に相互に交差して形成された走査配線および信号配線と、スイッチング素子としての薄膜トランジスタとを有するアクティブマトリクス基板である。上記薄膜トランジスタは、LDD構造となっており、該半導体層の片面側の上にゲート絶縁膜とゲート電極とがこの順に形成され、さらにこの面とは反対側には、間に絶縁膜を介して遮光膜が形成されて、半導体層へ光が照射されるのを防止する構造になっている。
請求項（抜粋）：
マトリクス状に形成された絵素電極と、該絵素電極の近傍を通って格子状に相互に交差して形成された走査配線および信号配線と、該絵素電極、走査配線および信号配線にそれぞれ電気的に接続された薄膜トランジスタとを有するアクティブマトリクス基板であって、該薄膜トランジスタは、半導体層が複数の領域に区分されたLDD構造となっており、両最外領域の一方がソース電極、他方がドレイン電極であり、該半導体層の片面側の上にゲート絶縁膜とゲート電極とがこの順に形成され、さらに該半導体層の該ゲート電極が形成された面とは反対側に、間に絶縁膜を介して遮光膜が形成されて、該遮光層により該半導体層へ光が照射されるのを防止するようにしたアクティブマトリクス基板。
IPC (2件)：
G02F 1/136 500
, H01L 29/784
H01L 29/78 311 S
, H01L 29/78 311 N
