特許
J-GLOBAL ID：200903094514358648
半導体装置及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-219530
公開番号（公開出願番号）：特開平7-074066
出願日： 1993年09月03日
公開日（公表日）： 1995年03月17日
要約：
【要約】【構成】半導体基板1と、これと格子定数の異なる半導体基板3を直接接着するに際し、これら二種の基板の間に転位低減領域5,6a,7,6b,8,9を形成する。或いはさらに緩和層10xを形成する。【効果】作製プロセス中の高温過程又はデバイスの高温動作等の下でのデバイス構造中の転位伝播を防止できる。
請求項（抜粋）：
第一の半導体基板と、第二の半導体基板とを接着してなる半導体装置において、前記第一の半導体基板と前記第二の半導体基板との間に転位低減領域が配設されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
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