特許

J-GLOBAL ID：200903094515336630

半導体集積装置

発明者： 佐野 功
出願人/特許権者： 富士電機株式会社
代理人 (1件)： 山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-158910
公開番号（公開出願番号）：特開平9-005770
出願日： 1995年06月26日
公開日（公表日）： 1997年01月10日
要約：

【要約】【目的】遮光メタルを金バンプ形成で必要とするバリアメタルと同一工程で、半導体チップの能動素子領域上に遮光メタルを形成し、外部からの光を遮断し、誤動作を防止する。【構成】シリコン基板上に能動素子部1aを形成した半導体チップ1上に、液晶駆動用出力信号を取り出すアルミパッド部2が形成され、このアルミパッド2上を開口して、半導体チップ1上に表面保護膜6が形成される。つぎにアルミパッド2上のバリアメタル3および表面保護膜6上の遮光メタル4となる金属膜が同時に形成され、バリアメタル3上に金メッキで金バンプ5が形成される。

請求項（抜粋）：

半導体チップに形成される端子電極上にバリアメタルが選択的に被着され、このバリアメタル上に突起電極が形成され、この突起電極がガラス基板上の透明電極に固着される半導体集積装置において、光を遮断する遮光メタルが半導体チップの能動素子領域上に表面保護膜を介して選択的に形成されることを特徴とする半導体集積装置。

IPC (6件)：

G02F 1/1345 ,  G02F 1/1335 ,  G09F 9/00 346 ,  H01L 21/321 ,  H01L 25/04 ,  H01L 25/18

FI (6件)：

G02F 1/1345 ,  G02F 1/1335 ,  G09F 9/00 346 G ,  H01L 21/92 604 R ,  H01L 21/92 604 C ,  H01L 25/04 Z