特許
J-GLOBAL ID：200903094517138746
半導体装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
内原 晋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-235790
公開番号（公開出願番号）：特開平5-074812
出願日： 1991年09月17日
公開日（公表日）： 1993年03月26日
要約：
【要約】【目的】2次元電子(又は正孔)ガスを用いる高速動作半導体装置を自己整合的に形成する。【構成】Si基板11の活性領域上にフィールドSiO2 膜12を介してせりだした構造の1対のn+ 型多結晶シリコン層14a,14bを有し、活性領域のSi基板11表面に単結晶Si/単結晶SiGe層18と単結晶Si層21とを選択的にエピタキシャル成長させ、せりだした部分のn+ 型多結晶シリコン層14a,14bの底面に多結晶SiGe層20と多結晶Si層22とを選択的に成長させる。単結晶Si層21と多結晶Si層22とは接続している。
請求項（抜粋）：
一導電型の単結晶Si基板の表面に設けられた第1の絶縁膜により自己整合的に形成された第1の開口部と、前記第1の開口部に露呈した底面を有して前記第1の開口部を覆い、一定の間隔の空隙部を有して前記第1の絶縁膜上に設けられた逆導電型の1対の第1の多結晶Si層と、前記第1の多結晶Si層の前記底面から下方に接続して設けられた逆導電型の多結晶SiGe層と、前記多結晶SiGe層の底面に接続して設けられた逆導電型の第2の多結晶Si層と、前記第1の開口部内の前記単結晶Si基板の表面に接続して設けられた真性半導体状態の単結晶SiGe層と、前記第1の多結晶Si層の前記底面の直下において前記第2の多結晶Si層と接続し、前記単結晶SiGe層表面に接続して設けられた逆導電型の第1の単結晶Si層と、前記第1の多結晶Si層の上面,および側面を覆う第2の絶縁膜と、1対の前記第1の多結晶Si層の前記空隙部において、前記第2の絶縁膜の側面,前記多結晶SiGe層の側面,および前記第2の多結晶Si層の側面を覆う第3の絶縁膜により形成された第2の開口部と、前記第2の開口部において、前記第1の単結晶Si層表面に接続して設けらた一導電型の第2の単結晶Si層と、を有することを特徴とする半導体装置。
IPC (5件)：
H01L 21/337
, H01L 29/808
, H01L 21/203
, H01L 21/205
, H01L 29/06
