特許

J-GLOBAL ID：200903094520867805

半導体装置

発明者： ルドルフ パウルス テイブルク ,  カレル マルティヌス ファン デル ワールデ
出願人/特許権者： エヌ・ベー・フィリップス・フルーイランペンファブリケン
代理人 (1件)： 杉村 暁秀 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-258224
公開番号（公開出願番号）：特開平5-206585
出願日： 1992年09月28日
公開日（公表日）： 1993年08月13日
要約：

【要約】【目的】 半導体装置、特に半導体レーザーおよびその製造方法を提供する。【構成】 白金電極層26を絶縁層に設ける前に、半導体装置10の酸化珪素絶縁層22を、例えばSc, LaまたはZrの金属塩水溶液で処理する。

請求項（抜粋）：

半導体接触層、該接触層上に位置し、かつ少なくとも1個の孔を有する酸化珪素絶縁層、および該絶縁層上に位置し、かつ前記孔を介して接触層とオーム接触する白金電極層を含む半導体装置において、電極層に隣接する絶縁層の境界層が0.110 nmより小さいイオン半径を有する金属を含み、および白金と前記金属との二元化合物の生成エンタルピーが負の値を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01S 3/18 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/90 ,  H01L 33/00