特許
J-GLOBAL ID：200903094522836249
シリコン単結晶製造装置および製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
椎名 彊 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-026890
公開番号（公開出願番号）：特開平5-221786
出願日： 1992年02月13日
公開日（公表日）： 1993年08月31日
要約：
【要約】【目的】 CZシリコン単結晶製造装置に於いて、下端に種結晶を連結するためのチャック7に、るつぼ6の底面に対向して反射板を設けることにより、結晶の成長初期に発生し易かったリング状に分布する酸化誘起積層欠陥を抑制し、かつ加工したウェーハにMOSダイオードを実装したときのゲート酸化膜耐圧特性が優れたシリコン単結晶を成長させる。【構成】 チャック7にるつぼ6の底面に対向して反射板8を設ける。反射板の材質を特定することにより炉内の高温下においても破損・破断がない。また、成長速度を制御することにより、反射板の頂角、取付位置に応じた形状の単結晶を成長させて、輻射熱の反射効率を高める。
請求項（抜粋）：
チョクラルスキー法による単結晶製造装置に於いて、下端に種結晶を連結するためのチャック(7)に、るつぼ(6)の底面に対向して反射板を設けたことを特徴とするシリコン単結晶製造装置。
IPC (3件)：
C30B 15/32
, C30B 15/14
, C30B 29/06 502
