特許

J-GLOBAL ID：200903094536835938

薄膜トランジスタの製造方法

発明者： 勝冶 洋子
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 梅田 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-070022
公開番号（公開出願番号）：特開平9-260676
出願日： 1996年03月26日
公開日（公表日）： 1997年10月03日
要約：

【要約】【課題】 非晶質シリコンをレーザアニールにより結晶化して薄膜トランジスタを製造する際に、簡単なプロセスによりシリコンの結晶性を向上させる。【解決手段】 基板11の上面に高融点金属からなる遮光層12を形成し、その上部に紫外光透過性を有する層間膜13を介して非晶質シリコン層14を形成し、そのシリコン層を素子分離した後のプロセスにおいて斜めからレーザ光15を照射してレーザアニールを行う。これにより、一度に非晶質シリコン層14の両面にレーザ光15が照射されるので、形成されたシリコンの結晶状態が均一となると共に、トランジスタ特性を向上することができる。

請求項（抜粋）：

レーザアニール法により多結晶シリコン半導体を形成する薄膜トランジスタの製造方法において、基板上面に遮光層を形成する工程と、層間膜を形成する工程と、非晶質シリコン層を形成する工程と、レーザ光を基板斜め方向から照射することにより前記非晶質シリコン層の両面に入射させる工程とを含むことを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。

IPC (4件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/268

FI (3件)：

H01L 29/78 627 G ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/268 Z