特許
J-GLOBAL ID：200903094537177586
酸素イオン導電体薄膜及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
久保田 耕平 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-200685
公開番号（公開出願番号）：特開平8-064216
出願日： 1994年08月25日
公開日（公表日）： 1996年03月08日
要約：
【要約】【構成】 均一分布の多数小開口をもつ異種基板に安定化ジルコニア単結晶薄膜を被着して成るか、同異種基板、その上の安定化ジルコニア単結晶薄膜、該薄膜上の一方の電極膜及び該電極膜面と反対の面に被着された他方の電極膜から成るか、あるいは同異種基板、それに一方の電極膜を介して被着された安定化ジルコニア単結晶薄膜及び該薄膜上の他方の電極膜から成る酸素イオン導電体薄膜である。これは、異種基板上に、安定化ジルコニアの気相成長を行わせて単結晶薄膜を形成させ、次いで異種基板に多数の開口を均一に分布するようにあけることなどにより得られる。【効果】 従来0.1mm程度もあった膜厚を1〜2μmへと3桁程度きわめて大幅に薄くしうるので、電気抵抗低減、ガス透過効率向上、構成成分の物質移動の低減、材料劣化抑制効果が得られるので、酸素センサー、気相水電解材料、特に固体電解質型燃料電池用材料として好適。
請求項（抜粋）：
均一に分布させた多数の小開口をもつ異種基板と、それに被着された安定化ジルコニア単結晶薄膜とから成る酸素イオン導電体薄膜。
IPC (7件)：
H01M 8/02
, C04B 35/48
, C30B 23/08
, C30B 29/22
, H01B 1/06
, H01M 8/12
, C09K 3/00
