特許

J-GLOBAL ID：200903094538815047

SIMOX基板及びその製造方法

発明者： 豊川 文敏
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 内原 晋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-238513
公開番号（公開出願番号）：特開平5-082525
出願日： 1991年09月19日
公開日（公表日）： 1993年04月02日
要約：

【要約】【目的】ゲッタリング技術の適用可能なSIMOX基板の構造を実現する。【構成】部分的に埋め込み酸化膜3が形成されない領域を有し、且つ、基板バルク5もしくは基板1裏面は何らかのゲッタリング手段が付与された構造を有するSIMOX基板である。シリコン単結晶基板1の表面にシリコン酸化膜マスク7を部分的に配して酸素イオンを注入し、高温熱処理を行った後、基板裏面にレーザ照射を行って結晶欠陥もしくは結晶歪6を導入しゲッタリングサイトを設ける。

請求項（抜粋）：

シリコン単結晶基板に対する酸素のイオン注入と高温熱処理とにより形成された埋め込みシリコン酸化膜上にシリコン単結晶層を有するSIMOX基板において、前記埋め込みシリコン酸化膜が部分的に形成されない領域を有し、シリコン単結晶基板バルクもしくはシリコン単結晶基板裏面に、結晶欠陥もしくは結晶歪によるゲッタリング手段が付与された構造を有することを特徴とするSIMOX基板。

IPC (5件)：

H01L 21/322 ,  H01L 21/208 ,  H01L 21/324 ,  H01L 21/76 ,  H01L 27/12