2次元結晶化半導体及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：中澤昭彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-220521
公開番号（公開出願番号）：特開2003-031792
出願日： 2001年07月19日
公開日（公表日）： 2003年01月31日
要約：

【要約】【課題】軽元素以外の元素ではグラファイト層状物質、そしてナノチューブ状物質は合成できず、カーボンナノチューブと通常半導体を組み合わせた技術は実現していない。【解決手段】電界印加による正孔の大量注入により、半導体表面上でグラファイト層状物質を発生させ、表面より剥離させる。このプロセスによりナノチューブ状物質も合成される。

請求項（抜粋）：

半導体の結晶構造が2次元状に構成されていることを特徴とする2次元結晶化半導体。

IPC (2件)：

H01L 29/06 601 , H01L 29/16

FI (2件)：

H01L 29/06 601 N , H01L 29/16

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