特許

J-GLOBAL ID：200903094543719331

半導体装置及びその製造方法並びにその半導体装置を用いた半導体ユニット

発明者： 小野 正浩 ,  別所 芳宏 ,  戸村 善広
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 池内 寛幸 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-180268
公開番号（公開出願番号）：特開平9-036119
出願日： 1995年07月17日
公開日（公表日）： 1997年02月07日
要約：

【要約】【課題】 半導体装置、回路基板、封止樹脂の熱膨脹係数の差によって発生する応力による半導体装置と封止樹脂との剥離や封止樹脂そのものの亀裂を防止する。【解決手段】 半導体装置(IC基板)6の上に電極パッド3を形成する。電極パッド3の上に突起電極(バンプ)7を形成する。IC基板6のバンプ7の先端部に、接合層としての導電性接着剤5を転写法や印刷法によって塗布する。次いで、上記のようにして作製されたICチップを、フェイスダウン状態で、バンプ7が回路基板9の入出力端子電極8に対向するように位置合わせを行い、ICチップを回路基板9の上に載置する。この状態で導電性接着剤5を硬化させ、IC基板6と回路基板9との電気的接続を実現する。次いで、接合層(導電性接着剤5)を囲むようにして封止樹脂4を封入し、封止樹脂4を硬化させる。

請求項（抜粋）：

フェイスダウン状態で回路基板に実装される半導体装置であって、前記半導体装置の回路を除いた面の少なくとも一部が、凹面及び凸面から選ばれる少なくとも一つの面を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/321 ,  H01L 21/60 311

FI (3件)：

H01L 21/92 603 B ,  H01L 21/60 311 Q ,  H01L 21/92 602 R