特許

J-GLOBAL ID：200903094544228498

半導体装置

発明者： ▲高▼橋 進
出願人/特許権者： 山形日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-042642
公開番号（公開出願番号）：特開平5-243437
出願日： 1992年02月28日
公開日（公表日）： 1993年09月21日
要約：

【要約】【目的】 放熱効果の大きい小型化された半導体装置を実現する。【構成】 ペルチェ効果を有する2種類の金属(1)2および金属(2)3を、金属接合4を介して接合し、これらの金属(1)2および金属(2)3を接合して形成される接合金属板上に半導体チップ1を搭載して、金属接合4に電流を通電する。この通電によるペルチェ効果の吸熱作用により金属(1)2の温度が低下し、半導体チップ1の温度上昇が有効に抑制される。

請求項（抜粋）：

ペルチェ効果を有する2種類の金属を接合して形成される接合金属板上に半導体チップを搭載し、前記2種類の金属間に電流を通電してペルチェ効果を生じるように構成することを特徴とする半導体装置。