特許

J-GLOBAL ID：200903094545787750

窒化インジウムガリウム半導体およびその成長方法

発明者： 中村 修二 ,  向井 孝志
出願人/特許権者： 日亜化学工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-106556
公開番号（公開出願番号）：特開平6-209121
出願日： 1993年05月07日
公開日（公表日）： 1994年07月26日
要約：

【要約】【目的】 高品質で結晶性に優れたInGaNおよびその成長方法を提供する。【構成】 有機金属気相成長法により窒化インジウムガリウム半導体を成長させる方法であって、原料ガスとしてガリウム源のガスと、インジウム源のガスと、窒素源のガスと、p型不純物を含むガスとを用い、600°Cより高い成長温度で、窒化ガリウム層の上に、p型不純物をドープした一般式In<SB>X</SB>Ga<SB>1-X</SB>N(但しXは0<X<0.5)で表される窒化インジウムガリウム半導体を成長させる。

請求項（抜粋）：

窒化ガリウム層の上に、一般式In<SB>X</SB>Ga<SB>1-X</SB>N(但しXは0<X<0.5)で表される窒化インジウムガリウム半導体が形成されており、さらに前記窒化インジウムガリウム半導体にはp型不純物がドープされていることを特徴とする窒化インジウムガリウム半導体。

IPC (2件)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/205

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平3-218625
  
• 特開平3-218625
  
• 特開平2-229475
  
• 特開平4-068579