特許
J-GLOBAL ID:200903094546714896
薄膜トランジスタ基板およびその製造方法、液晶表示パネルならびに液晶表示装置
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
中村 純之助
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平5-008314
公開番号(公開出願番号):特開平6-222386
出願日: 1993年01月21日
公開日(公表日): 1994年08月12日
要約:
【要約】【目的】 製造コストを安価にする。【構成】 ゲート端子GTMをアルミニウム膜g、アルミニウム膜g上に形成されたパラジウム膜PDF、パラジウム膜PDF上に形成された透明導電膜d1で構成する。
請求項(抜粋):
端子が走査信号線を構成するアルミニウム膜、上記アルミニウム膜上に形成されたパラジウム膜および上記パラジウム膜上に形成されかつ画素電極を構成する透明導電膜から構成されたことを特徴とする薄膜トランジスタ基板。
IPC (4件):
G02F 1/136 500
, H01L 29/40
, H01L 21/336
, H01L 29/784
FI (2件):
H01L 29/78 311 P
, H01L 29/78 311 A
引用特許:
審査官引用 (4件)
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特開平4-348730
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特開平3-118018
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特開平2-098331
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