特許

J-GLOBAL ID：200903094547999924

圧電磁器

発明者： 古川 正仁 ,  鈴木 和孝 ,  五木田 佳子
出願人/特許権者： ティーディーケイ株式会社
代理人 (1件)： 三反崎 泰司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-083281
公開番号（公開出願番号）：特開2001-294482
出願日： 2000年03月21日
公開日（公表日）： 2001年10月23日
要約：

【要約】【課題】 圧電特性を向上させることができる圧電磁器を提供する。【解決手段】 [(Na0.5 Bi0.5 )x My ]z (Tiu Nv )O3 で表されペロブスカイト構造を有する酸化物を含有している。MにはBa,Mg,Ca,Sr,(K0.5 Bi0.5 )などが挙げられ、NにはZr,Hfなどが挙げられる。る。x,y,z,uおよびvはそれぞれ0 請求項（抜粋）：

ナトリウム(Na)およびビスマス(Bi)を含む第1の元素と、チタン(Ti)を含む第2の元素と、酸素(O)とからなる酸化物を含有しており、第2の元素に対する前記第1の元素の組成比(第1の元素/第2の元素)は、モル比で0.9以上0.99以下の範囲内であることを特徴とする圧電磁器。

IPC (3件)：

C04B 35/46 ,  C04B 35/495 ,  H01L 41/187

FI (4件)：

C04B 35/46 J ,  C04B 35/00 J ,  H01L 41/18 101 B ,  H01L 41/18 101 J

Fターム (22件)：

4G030AA03 ,  4G030AA04 ,  4G030AA07 ,  4G030AA08 ,  4G030AA09 ,  4G030AA10 ,  4G030AA16 ,  4G030AA17 ,  4G030AA18 ,  4G030AA43 ,  4G030BA10 ,  4G030CA01 ,  4G030GA14 ,  4G031AA01 ,  4G031AA03 ,  4G031AA04 ,  4G031AA05 ,  4G031AA06 ,  4G031AA11 ,  4G031AA35 ,  4G031BA10 ,  4G031GA11