特許
J-GLOBAL ID：200903094551424308
半導体装置及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-238443
公開番号（公開出願番号）：特開平7-094731
出願日： 1993年09月24日
公開日（公表日）： 1995年04月07日
要約：
【要約】【目的】 金属からなるゲ-ト電極の表面に、均一なシリコン窒化膜を形成した、低抵抗のゲート電極を具備する半導体装置を提供することを目的とする。【構成】 半導体基板1と、この半導体基板1上にゲート絶縁膜4を介して形成された、多結晶シリコン層6、障壁層7、及び高融点金属層8を積層させた構造からなるゲート電極を形成するに際し、前記高融点金属層8の上面又は側面の少なくとも一方に高融点金属珪化物層9を形成し、この珪化物層9を介して前記高融点金属層8の上面または側面の少なくとも一方をシリコン窒化膜で被覆することを特徴とする。
請求項（抜粋）：
半導体基板と、この半導体基板上に形成され、障壁層及び高融点金属層が積層された構造を有する電極配線とを具備し、前記高融点金属層の上面又は側面の少なくとも一方が高融点金属珪化物層で被覆され、この珪化物層を介して前記電極配線の上面または側面の少なくとも一方がシリコン窒化膜で被覆されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 29/78
, H01L 21/28 301
