特許

J-GLOBAL ID：200903094557293833

半導体装置の製造方法

発明者： 松橋 秀明
出願人/特許権者： 沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 敏明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-138449
公開番号（公開出願番号）：特開平5-335562
出願日： 1992年05月29日
公開日（公表日）： 1993年12月17日
要約：

【要約】【目的】 ゲート電極をタングステン膜で形成したMOS型FETを有する半導体装置の製造方法に関するもので、パンチスルーの起こりにくい半導体装置を提供することを目的とする。【構成】 ゲート電極としてのタングステン膜15を形成した後、アンモニア雰囲気中で熱処理する。この方法によりゲートシリコン酸化膜13と前記タングステン膜15との間に、窒化タングステン膜16ができ、タングステンの仕事関数をシリコンのmid-gap電圧と等しくすることができ、パンチスルーが起こりにくくなる。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に、MOS型FETのゲート電極となるタングステン膜を形成した後、アンモニア(NH3 )雰囲気中で熱処理することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 29/784 ,  H01L 29/62 ,  H01L 21/336

FI (2件)：

H01L 29/78 301 G ,  H01L 29/78 301 P