特許

J-GLOBAL ID：200903094564509299

半導体装置およびその製造方法

発明者： 加賀 徹 ,  庄司 健一 ,  小林 伸好 ,  五嶋 秀和 ,  中村 吉孝 ,  松井 裕一 ,  平山 美鈴 ,  大路 譲 ,  大倉 理 ,  飯島 晋平 ,  菅原 安浩 ,  西田 高
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-254998
公開番号（公開出願番号）：特開平8-125138
出願日： 1994年10月20日
公開日（公表日）： 1996年05月17日
要約：

【要約】【目的】 複雑な立体構造W電極を有する金属-絶縁膜-金属型のキャパシタを制御よく形成する【構成】 WF6、PtF6、RuF5等の雰囲気を用いた置換によって形成した立体構造の金属電極上にTa2O5膜またはPZT等および上部の金属電極を形成したMIM(Metal Insulator Metal)型のキャパシタ。【効果】 段差被覆性のよい多結晶Siを用いて任意形状の立体構造を形成した後にWF6ガス雰囲気等によってSiから金属への置換をする事により金属電極を形成しさらにこれを用いてMIM型キャパシタを形成する。こうして形成した置換金属電極方式のキャパシタは、従来技術(スパッタリングやCVD)で立体金属電極を形成した場合に比べて複雑なキャパシタ構造への適用性にすぐれ、1ギガビットDRAM等の超微小、高集積メモリへの適用も可能となる効果がある。

請求項（抜粋）：

第1の材料を用いて形成した厚さ200nm以下の構造物を該第1の材料に対して化学的に活性な雰囲気中に置き、該第1の材料の主たる成分を雰囲気中に含まれる成分で置き換えることによって、第2の材料を主たる成分にする構造物に作り変えることにより、第1の電極を形成し、該第1の電極上に絶縁膜を被着し、該絶縁膜上に第2の電極を形成することによって電荷蓄積容量を形成すること、を特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822

FI (4件)：

H01L 27/10 621 A ,  H01L 27/04 C ,  H01L 27/10 621 C ,  H01L 27/10 651