特許
J-GLOBAL ID：200903094567798720
磁気抵抗効果素子および磁気メモリ素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-265664
公開番号（公開出願番号）：特開2001-156358
出願日： 2000年09月01日
公開日（公表日）： 2001年06月08日
要約：
【要約】【課題】 素子サイズを小さくしても、記録に要するパワーを軽減でき、かつ材料選択の幅が広い磁気抵抗効果素子を提供する。【解決手段】 第1の反強磁性層1/第1の強磁性層2/第1のトンネル絶縁層3/第2の強磁性層4/第1の非磁性層5/第3の強磁性層6/第2の非磁性層7/第4の強磁性層8/第2のトンネル絶縁層9/第5の強磁性層10/第2の反強磁性層11が積層された強磁性二重トンネル接合を有する磁気抵抗効果素子であって、第2および第3の強磁性層4、6が第1の非磁性層5を介して反強磁性結合しており、第3および第4の強磁性層6、8が第2の非磁性層7を介して反強磁性結合している。
請求項（抜粋）：
第1の反強磁性層/第1の強磁性層/第1のトンネル絶縁層/第2の強磁性層/第1の非磁性層/第3の強磁性層/第2の非磁性層/第4の強磁性層/第2のトンネル絶縁層/第5の強磁性層/第2の反強磁性層が積層された強磁性二重トンネル接合を有する磁気抵抗効果素子であって、第2および第3の強磁性層が第1の非磁性層を介して反強磁性結合しており、第3および第4の強磁性層が第2の非磁性層を介して反強磁性結合していることを特徴とする磁気抵抗効果素子。
IPC (7件)：
H01L 43/08
, G01R 33/09
, G11B 5/39
, G11C 11/02
, G11C 11/14
, G11C 11/15
, H01F 10/26
H01L 43/08 Z
, G11B 5/39
, G11C 11/02 Z
, G11C 11/14 A
, G11C 11/15
, H01F 10/26
, G01R 33/06 R
