特許
J-GLOBAL ID：200903094580680500
プラズマCVD装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
梶山 佶是 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-319415
公開番号（公開出願番号）：特開平6-151411
出願日： 1992年11月04日
公開日（公表日）： 1994年05月31日
要約：
【要約】【構成】 接地基板電極を構成するアルミ製均熱板を上面に有し、このアルミ製均熱板を加熱するためのヒータを有するサセプタと、このサセプタ上の接地基板電極に対峙するアルミニウム製有孔板からなる高周波電極とを有するチャンバーを有するプラズマCVD装置において、前記アルミニウム製有孔板に隣接して、多数の貫通孔を有するガス分散板を設けたことを特徴とするプラズマCVD装置。【効果】 ガス分散板が挿入されたことによりガス溜りが2箇所になり、ガスの分散性が向上する。その結果、生成条件が変動してもウエハ上面へのガス供給は常に均一に保たれ、生成されるCVD膜の膜質および膜厚が均一となり、デバイスの製造歩留りが向上する。
請求項（抜粋）：
接地基板電極を構成するアルミ製均熱板を上面に有し、このアルミ製均熱板を加熱するためのヒータを有するサセプタと、このサセプタ上の接地基板電極に対峙するアルミニウム製有孔板からなる高周波電極とを有するチャンバーを有するプラズマCVD装置において、前記アルミニウム製有孔板に隣接して、多数の貫通孔を有するガス分散板を設けたことを特徴とするプラズマCVD装置。
IPC (2件)：
引用特許：
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