特許

J-GLOBAL ID：200903094581887914

半導体製造装置

発明者： 湯浅 和宏 ,  池田 和人
出願人/特許権者： 国際電気株式会社
代理人 (1件)： 油井 透 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-153696
公開番号（公開出願番号）：特開平11-003867
出願日： 1997年06月11日
公開日（公表日）： 1999年01月06日
要約：

【要約】【課題】 酸素、水分を始めとするコンタミネーション濃度を短時間で低減し、反応室への導入を減少させ、ウェーハ上の自然酸化膜の成長を抑制する。【解決手段】 パージボックス6内へのウェーハ搬送終了後、ゲートバルブ5を閉じ、真空排気装置11により真空排気を行う。これと同時に、パージボックス6内へ雰囲気置換用ガスであるN2 または乾燥空気を導入する。雰囲気置換用ガスの導入経路に雰囲気置換用ガス加熱装置12を設け、導入前に雰囲気置換用ガスを加熱する。これにより導入された雰囲気置換用ガスは、パージボックス6の内壁を加熱して、内壁に吸着していた水分やアンモニアを始めとしたコンタミネーションを雰囲気中に脱離させ、真空排気装置11によりパージボックス6から抜き取る。

請求項（抜粋）：

雰囲気置換用ガスで置換される密閉容器を有する半導体製造装置において、前記密閉容器内の雰囲気置換用ガスを密閉容器導入前に加熱する雰囲気置換用ガス加熱手段を設けたことを特徴とする半導体製造装置。

IPC (5件)：

H01L 21/22 511 ,  B08B 17/02 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/68

FI (5件)：

H01L 21/22 511 S ,  B08B 17/02 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31 B ,  H01L 21/68 A