電荷保持層形成用塗布液および不揮発性半導体記憶装置

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-020420
公開番号（公開出願番号）：特開2002-222880
出願日： 2001年01月29日
公開日（公表日）： 2002年08月09日
要約：

【要約】【課題】不揮発性半導体記憶装置における、浮遊ゲート層を構成する電荷保持層の形成を容易にする塗布液を得て、この塗布液を使用して装置におけるツェナー降伏によるメモリ機能の低減を回避する。【解決手段】粒子径が100nm以下の金属または半導体の超微粒子が分散されてなる電荷保持層形成用塗布液を作成し、ソース層8およびドレイン層7を有する半導体基板1に形成されたトンネル絶縁層3と、トンネル絶縁層3上に形成された浮遊ゲート層4と、浮遊ゲート層4上に形成されたゲート絶縁層5と、ゲート絶縁層5上に形成されたポリシリコン層6とを備える不揮発性半導体記憶装置の浮遊ゲート層4を、前記塗布液用いて形成する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に電荷保持層を形成するための電荷保持層形成用塗布液において、粒子径が100nm以下の金属の超微粒子または半導体の超微粒子が分散していることを特徴とする電荷保持層形成用塗布液。

IPC (8件)：

H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792 , C09D 1/00 , C09D 5/24 , C09D 7/12 , H01L 21/316 , H01L 27/115

FI (6件)：

C09D 1/00 , C09D 5/24 , C09D 7/12 , H01L 21/316 G , H01L 29/78 371 , H01L 27/10 434

Fターム (33件)：

4J038AA011 , 4J038HA061 , 4J038HA211 , 4J038JA19 , 4J038JA26 , 4J038JB27 , 4J038KA06 , 4J038KA12 , 4J038KA15 , 4J038KA20 , 4J038MA10 , 4J038NA20 , 4J038PB09 , 5F001AA02 , 5F001AB08 , 5F001AE08 , 5F001AF07 , 5F058BC04 , 5F058BC20 , 5F058BD06 , 5F058BF46 , 5F058BF55 , 5F058BF62 , 5F058BF63 , 5F058BJ01 , 5F083EP07 , 5F083EP23 , 5F083ER22 , 5F083PR23 , 5F101BA02 , 5F101BB05 , 5F101BE07 , 5F101BF03

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