特許

J-GLOBAL ID：200903094602677451

放射線検出器及び医用画像診断装置

発明者： 森 一生 ,  本村 信篤
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 三澤 正義
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-362930
公開番号（公開出願番号）：特開2002-168958
出願日： 2000年11月29日
公開日（公表日）： 2002年06月14日
要約：

【要約】【課題】 従来使用されていたアモルファスSeや多結晶半導体の欠点を克服するとともに、現状広く利用されている薄膜トランジスタ(以下、「TFT」という。)を用いた信号読出し回路との整合をとり得る光電変換部材を含む放射線検出器を提供する。【解決手段】 本発明の放射線検出器における光電変換部材11は、放射線の入射により電荷を生成する機能を有するとともに、その一方の面に二次元マトリックス状に配設・形成された複数の電荷収集電極12を有し他方の面にバイアス電極11aを有する。また、該部材11は単結晶半導体から構成されている。そして、この光電変換部材11の複数は、TFT、画素電極及びコンデンサを一組とした画素が二次元マトリックス状に配列されるとともに、信号読み出し回路を有するTFT回路部100上に二次元的に配列されている。この配列は、前記電荷収集電極12と前記画素電極100とが1対1対応するようになされる。

請求項（抜粋）：

放射線の入射により電荷を生成する機能を有するとともに、その一方の面に電荷収集電極を有し他方の面にバイアス電極を有する、単結晶半導体から構成された光電変換部材と、薄膜トランジスタ、画素電極及びコンデンサを一組として含む画素が配列されるとともに、信号読み出し回路を有する薄膜トランジスタ回路部とを備え、前記光電変換部材の複数が、前記薄膜トランジスタ回路部上に配列されてなることを特徴とする放射線検出器。

IPC (3件)：

G01T 1/24 ,  H01L 27/14 ,  H01L 31/09

FI (3件)：

G01T 1/24 ,  H01L 27/14 K ,  H01L 31/00 A

Fターム (35件)：

2G088EE01 ,  2G088EE02 ,  2G088FF02 ,  2G088FF04 ,  2G088GG21 ,  2G088JJ05 ,  2G088JJ31 ,  2G088JJ33 ,  2G088JJ37 ,  4M118AA02 ,  4M118AA05 ,  4M118AB01 ,  4M118BA05 ,  4M118CA22 ,  4M118CB05 ,  4M118FB09 ,  4M118FB13 ,  4M118FB16 ,  4M118FB19 ,  4M118FB23 ,  4M118FB24 ,  4M118FB25 ,  4M118GA10 ,  5F088AA02 ,  5F088AB09 ,  5F088BA20 ,  5F088BB03 ,  5F088BB07 ,  5F088CB03 ,  5F088EA04 ,  5F088EA08 ,  5F088GA03 ,  5F088JA01 ,  5F088KA03 ,  5F088LA08