特許
J-GLOBAL ID：200903094603095766
回路内蔵受光素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
深見 久郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-182282
公開番号（公開出願番号）：特開平5-029645
出願日： 1991年07月23日
公開日（公表日）： 1993年02月05日
要約：
【要約】【目的】 第1の導電型の基板の表面の受光素子部分と信号処理回路部分とに第2の導電型の埋込拡散層を形成し、その上に全面に第2の導電型の高比抵抗エピタキシャル層を形成し、その後、信号処理回路形成部分には第2の導電型の拡散層を形成して比抵抗を信号処理回路に適した低い値にした回路内蔵受光素子において、前記の受光素子部分の高比抵抗エピタキシャル層の厚さを適正にし、高速の回路内蔵受光素子を得る。【構成】 P型半導体基板1の表面にN+ 型埋込拡散層2を形成しさらにその上にN型高比抵抗エピタキシャル層10を成長させる。その表面にはアノードとなるP型拡散層6が形成される。N型高比抵抗エピタキシャル層10の厚さを、8〜14ミクロンとする。なお、その比抵抗を10Ωcm以上とする。
請求項（抜粋）：
第1の導電型の基板の表面の受光素子部分と信号処理回路部分とに第2の導電型の埋込拡散層を形成し、その上に全面に第2の導電型の高比抵抗エピタキシャル層を形成し、その後信号処理回路部分には第2の導電型の拡散層を形成して比抵抗を信号処理回路に適した低い値にした回路内蔵受光素子において、前記の第1の導電型の高比抵抗エピタキシャル層の厚さを8〜14ミクロンにしたことを特徴とする回路内蔵受光素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 31/10 A
, H01L 27/14 Z
