特許
J-GLOBAL ID:200903094604416094

半導体装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 滝本 智之 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平8-013710
公開番号(公開出願番号):特開平9-213725
出願日: 1996年01月30日
公開日(公表日): 1997年08月15日
要約:
【要約】【課題】 半導体装置において、封止樹脂領域の狭域化を容易にする。【解決手段】 ベースフィルム2のデバイスホール4の周辺部にダム1を設けているので、デバイスホール4と半導体素子5との隙間を充填し、かつ、インナーリード6の先端部と半導体素子5との接合部とを覆う封止樹脂3が、封止樹脂形成領域外へ流れ出ることを防ぐことができる。したがって、封止樹脂形成領域の狭域化を容易に実現することができる。
請求項(抜粋):
デバイスホールを有するベースフィルムと、前記デバイスホールの周辺部のベースフィルム上に構成されるダムとを有する半導体装置。
IPC (3件):
H01L 21/56 ,  H01L 21/60 311 ,  H01L 23/28
FI (3件):
H01L 21/56 E ,  H01L 21/60 311 R ,  H01L 23/28 C
引用特許:
出願人引用 (5件)
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