液晶表示装置の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：岡田敬
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-118461
公開番号（公開出願番号）：特開平7-325321
出願日： 1994年05月31日
公開日（公表日）： 1995年12月12日
要約：

【要約】【目的】陽極酸化AlゲートTFTを用いたアクティブマトリクス型液晶表示装置において、マスキングレジストの形成によるAlの浸食を防ぐ。【構成】ゲートライン(12GL)及び補助容量ライン(12SL)のコンタクト端子(11CTG,11CTS)上に、あらかじめAlからなるコンタクト保護膜(12CTG,12CTS)を形成しておく。陽極酸化後、コンタクトホール(CTG,CTS)を介してAlのエッチングを行うことにより、Al2O3膜ごとコンタクト保護膜(12CTG,12CTS)が除去され、コンタクト端子(11CTG,11CTS)のTaが露出され、上層のコンタクトメタル(19CT)及び接続ライン(19SC)との良好なオーミックコンタクトが得られる。

請求項（抜粋）：

基板上に、Alに対してエッチング選択性があり、かつ、陽極酸化可能な第1の導電物を成膜してエッチングすることにより、第1配線のコンタクト端子を形成する工程と、前記第1の導電物を被覆してAlを成膜し、これをエッチングすることにより、前記コンタクト端子に接続する第1配線及び陽極酸化用の電圧供給配線を形成するとともに、前記コンタクト端子上に島状のコンタクト保護膜を形成する工程と、前記第1配線の全領域を陽極酸化することにより、表面にAlの陽極酸化膜または前記第1の導電物の陽極酸化膜を形成する工程と、全面に絶縁層と非単結晶半導体膜を順次成膜し、該非単結晶半導体膜をエッチングして島状に形成する工程と、全面に透明導電膜を成膜してエッチングすることにより、マトリクス状に配置された表示電極と基板端部に配列された外部接続端子を形成する工程と、前記絶縁層をエッチングすることにより、前記コンタクト端子上にコンタクトホールを開口して、前記コンタクト保護膜を露出させる工程と、前記コンタクトホールを有する前記絶縁層をマスクにAlのエッチングを行うことにより、前記コンタクト保護膜上のAlの陽極酸化膜及び前記コンタクト保護膜を除去する工程と、全面に第2の導電物を成膜してエッチングすることにより、第2配線を形成するとともに、前記コンタクトホールを介して前記コンタクト端子を前記外部接続端子に接続するコンタクトメタルを形成する工程とを有する液晶表示装置の製造方法。

IPC (2件)：

G02F 1/136 500 , H01L 29/786

FI (2件)：

H01L 29/78 311 A , H01L 29/78 311 G

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