特許

J-GLOBAL ID：200903094605506399

導電膜パターン形成方法、及び導電膜パターン

発明者： 古沢 昌宏
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 稲葉 良幸 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-035722
公開番号（公開出願番号）：特開2001-230527
出願日： 2000年02月14日
公開日（公表日）： 2001年08月24日
要約：

【要約】【課題】 ポリシラン材料を用いて、簡単で安価に導電膜パターンを形成する。【解決手段】 基板上にインクジェット装置を用いてポリシラン溶液を所定のパターンに吐出し、ポリシラン薄膜パターンを形成する工程と、形成されたポリシラン薄膜パターン上に貴金属の微粒子を析出させる工程と、析出された貴金属の微粒子を触媒として無電解メッキにより金属膜パターンを形成する工程とを備える。インクジェット装置を用いて薄膜形成とパターンニングを同時に行うため、簡単かつ安価に導電膜パターンを形成できる。更にポリシロキサンとして除去される部分が生じないため、ポリシランの使用量を削減することができる。

請求項（抜粋）：

基板上にインクジェット装置を用いてポリシラン溶液を所定のパターンに吐出し、ポリシラン薄膜パターンを形成する工程と、形成されたポリシラン薄膜パターン上に貴金属の微粒子を析出させる工程と、析出された貴金属の微粒子を触媒として無電解メッキにより金属膜パターンを形成する工程とを備えることを特徴とする導電膜パターン形成方法。

IPC (2件)：

H05K 3/18 ,  C23C 18/18

FI (2件)：

H05K 3/18 B ,  C23C 18/18

Fターム (26件)：

4K022AA13 ,  4K022AA42 ,  4K022BA06 ,  4K022BA08 ,  4K022BA14 ,  4K022BA18 ,  4K022BA35 ,  4K022CA06 ,  4K022CA08 ,  4K022CA20 ,  4K022CA21 ,  4K022DA01 ,  5E343AA26 ,  5E343AA38 ,  5E343BB05 ,  5E343BB23 ,  5E343BB24 ,  5E343BB44 ,  5E343BB45 ,  5E343BB48 ,  5E343BB49 ,  5E343CC01 ,  5E343CC72 ,  5E343DD12 ,  5E343DD33 ,  5E343GG11