集積デバイス用デュアルダマシン接触

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：岡部正夫 (外11名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-262581
公開番号（公開出願番号）：特開2002-164430
出願日： 2001年08月31日
公開日（公表日）： 2002年06月07日
要約：

【要約】【課題】本発明は、半導体構造及び作製方法を提供する。【解決手段】一実施例に従うと、構造は上部表面中に形成されたデバイス領域を有する結晶面に沿って形成された上部表面をもつ半導体材料の層を含む。空間的に分離されたメタライゼーションレベルが、半導体層上に形成され、それぞれ導電体部分を含む。平面に垂直な軸に沿って形成された接触は、第1のレベル中の導電体部分と第2のレベル中の導電体部分を電気的に接続する。接触は第1のレベル中の導電体部分に延びる狭い部分と、狭い部分から第2のレベル中の導電体部分に延びる広い部分を含む。半導体構造の作製方法は、誘電体層中に形成された開口を有する半導体層上に、誘電体材料の層を形成することを含む。開口は上部表面から延びる広い部分と、広い部分から半導体層の方へ開口を延ばす狭い部分を含む。開口の狭い部分と広い部分の両方が導電体材料で満され、導電体部分は導電体材料と電気的に接触するように、開口上に形成される。

請求項（抜粋）：

平面に沿った表面を有する半導体層;導電体部分を含む表面上に形成されたメタライゼーションレベル;上部表面を有し、半導体表面と導電体部分の間に形成された誘電体材料の層;及び誘電体材料の層を貫いて延び、上部表面から誘電体層内に延びる広い部分と広い部分から半導体層に向って軸に沿って延びる狭い部分を含む集積回路デバイス。

IPC (5件)：

H01L 21/768 , H01L 21/822 , H01L 21/8234 , H01L 27/04 , H01L 27/06

FI (3件)：

H01L 21/90 A , H01L 27/06 102 A , H01L 27/04 C

Fターム (86件)：

5F033HH04 , 5F033HH08 , 5F033HH09 , 5F033HH11 , 5F033HH15 , 5F033HH18 , 5F033HH19 , 5F033HH21 , 5F033HH25 , 5F033HH33 , 5F033JJ01 , 5F033JJ04 , 5F033JJ08 , 5F033JJ09 , 5F033JJ11 , 5F033JJ15 , 5F033JJ18 , 5F033JJ19 , 5F033JJ21 , 5F033JJ25 , 5F033JJ33 , 5F033KK01 , 5F033KK04 , 5F033KK08 , 5F033KK09 , 5F033KK11 , 5F033KK15 , 5F033KK18 , 5F033KK19 , 5F033KK21 , 5F033KK25 , 5F033KK33 , 5F033LL04 , 5F033MM01 , 5F033MM02 , 5F033MM05 , 5F033MM12 , 5F033MM13 , 5F033NN06 , 5F033NN07 , 5F033PP06 , 5F033PP15 , 5F033QQ08 , 5F033QQ09 , 5F033QQ10 , 5F033QQ16 , 5F033QQ37 , 5F033QQ46 , 5F033QQ48 , 5F033QQ59 , 5F033QQ65 , 5F033QQ73 , 5F033QQ92 , 5F033QQ98 , 5F033RR03 , 5F033RR04 , 5F033RR06 , 5F033RR11 , 5F033RR14 , 5F033RR29 , 5F033SS02 , 5F033SS04 , 5F033SS11 , 5F033SS13 , 5F033SS15 , 5F033TT02 , 5F033TT08 , 5F033XX01 , 5F033XX02 , 5F033XX03 , 5F033XX05 , 5F033XX31 , 5F038AC05 , 5F038AC15 , 5F038AV06 , 5F038EZ14 , 5F038EZ17 , 5F038EZ20 , 5F048AA01 , 5F048AC10 , 5F048BA01 , 5F048BF01 , 5F048BF07 , 5F048BF12 , 5F048BF15 , 5F048BF16

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