特許

J-GLOBAL ID：200903094609253061

プラズマ処理装置

発明者： 佐藤 崇之 ,  八島 伸二
出願人/特許権者： 国際電気株式会社
代理人 (1件)： 油井 透 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-072023
公開番号（公開出願番号）：特開平11-274084
出願日： 1998年03月20日
公開日（公表日）： 1999年10月08日
要約：

【要約】【課題】 所定の処理の処理特性と装置のスループットとの両方を満足させることができるようにする。【解決手段】 ICP方式のプラズマCVD装置は、内部で成膜処理が行われる処理容器11と、処理すべきウェーハWを保持するためのチャック部12と、高周波電磁誘導によって無電極放電を発生させるための1つのアンテナ13と、このアンテナ13に印加する高周波電力を発生するための高周波発振器14と、アンテナ13を移動駆動することによりその位置を変更する移動駆動部15とを有し、移動駆動部15によりアンテナ13を移動駆動することにより、アンテナ13の位置として、成膜処理の処理特性と装置のスループットとの両方を満足させることができる位置を設定する。

請求項（抜粋）：

プラズマを使って処理対象に所定の処理を施すプラズマ処理装置において、内部で前記所定の処理が行われる処理容器と、放電発生用電力に基づいて、前記処理容器の内部にプラズマ生成用の放電を発生させる放電発生手段と、前記処理対象に対する前記放電発生手段の位置を変更可能な位置変更手段とを備えたことを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (5件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/31 ,  H05H 1/46

FI (5件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 A ,  H01L 21/31 C ,  H05H 1/46 L