特許
J-GLOBAL ID：200903094620171280
高周波昇圧トランス
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大田 優
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-132046
公開番号（公開出願番号）：特開平5-304033
出願日： 1992年04月24日
公開日（公表日）： 1993年11月16日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】銅損を小さくし高効率で低背型とする。組立容易。生産性の向上。【構成】外側巻線60を巻回した巻軸32の中に、内側巻線50を巻回した巻軸12を挿入して内ボビン10と外ボビン30を結合し、中央脚73を巻軸12の孔の中に挿入したコア70とコア80とで閉磁路を形成するとともに、外側巻線60の巻幅を外側巻線60の高さよりも大きくする。
請求項（抜粋）：
上鍔及び下鍔のある円筒形の第1の巻軸と下鍔に一体成形された第1のベース部を有し第1のベース部の側面に複数の第1の端子が植設された内ボビンと、上鍔及び下鍔のある円筒形の第2の巻軸と下鍔に一体成形された第2のベース部を有し第2のベース部の側面に複数の第2の端子が植設された外ボビンと、第1の巻軸に巻回されリード線が第1の端子に接続された内側巻線と、第2の巻軸に巻回されリード線が第2の端子に接続された外側巻線と、上下方向に突き合わされて閉磁路を形成する一対の磁性体コアとを具え、第2の巻軸の中に第1の巻軸を挿入し、少なくとも一方のコアに設けた円柱形の中央脚を第1の巻軸の中に挿入するとともに、外側巻線の巻幅Wを該外側巻線の高さHより大きくしたことを特徴とする高周波昇圧トランス。
IPC (3件)：
H01F 31/00
, H01F 27/32
, H05B 41/02
