特許

J-GLOBAL ID：200903094621433032

GaInAsフォトダイオード

発明者： 和田 守夫
出願人/特許権者： 横河電機株式会社
代理人 (1件)： 小沢 信助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-337410
公開番号（公開出願番号）：特開平6-188447
出願日： 1992年12月17日
公開日（公表日）： 1994年07月08日
要約：

【要約】【目的】 1μmより短波長側から2μm近傍まで、高い分光感度を有する信頼性の高いフォトダイオードを実現する。【構成】 InPに対する格子不整合率が0.5%以上のGaInAs吸収層を、InAsXP1-X/InAsYP1-Yの組み合わせの歪超格子層を多段階に挿入したバッファー層上に形成して、前記GaInAs吸収層の格子不整合を緩和し、前記GaInAs吸収層の格子定数と-0.5〜0.5%で一致するようにした格子定数のInAsP窓層を0.1μm以下の膜厚で前記GaInAs吸収層上に形成した構成としたことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

InPに対する格子不整合率が0.5%以上のGaInAs吸収層を、InAsXP1-X/InAsYP1-Yの組み合わせの歪超格子層を多段階に挿入したバッファー層上に形成して、前記GaInAs吸収層の格子不整合を緩和し、前記GaInAs吸収層の格子定数と-0.5〜0.5%で一致するようにした格子定数のInAsP窓層を0.1μm以下の膜厚で前記GaInAs吸収層上に形成した構成としたことを特徴とするGaInAsフォトダイオード。

IPC (2件)：

H01L 31/10 ,  H01L 21/20

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特開昭62-291184