薄膜素子の転写方法,薄膜素子,薄膜集積回路装置,アクティブマトリクス基板および液晶表示装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：井上一 , 布施行夫 , 大渕美千栄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-382675
公開番号（公開出願番号）：特開2004-140382
出願日： 2003年11月12日
公開日（公表日）： 2004年05月13日
要約：

【課題】本発明の目的の一つは、薄膜素子の製造時に使用する基板と、例えば製品の実使用時に使用する基板(製品の用途からみて好ましい性質をもった基板)とを、独立に自由に選択することを可能とする新規な技術を提供することである。【解決手段】信頼性が高く、かつレーザー光が透過可能な基板(100)上に分離層(120)を設けておき、その基板上にTFT等の薄膜素子(140)を形成する。基板側からレーザー光を照射し、これによって分離層において剥離を生じせしめる。その薄膜素子を接着層(160)を介して転写体(180)に接合し、基板(100)を離脱させる。これにより、どのような基板にでも所望の薄膜デバイスを転写できる。【選択図】図5

請求項（抜粋）：

基板上の薄膜素子を転写体に転写する方法であって、前記基板上に分離層を形成する工程と、前記分離層上に薄膜素子を含む被転写層を形成する工程と、前記薄膜素子を含む被転写層を接着層を介して前記転写体に接合する工程と、前記分離層に光を照射し、前記分離層の層内および/または界面において剥離を生じせしめる工程と、前記基板を前記分離層から離脱させる工程と、を有することを特徴とする薄膜素子の転写方法。

IPC (5件)：

H01L27/12 , G02F1/1368 , H01L21/20 , H01L21/336 , H01L29/786

FI (4件)：

H01L27/12 B , G02F1/1368 , H01L21/20 , H01L29/78 627D

Fターム (45件)：

2H092GA59 , 2H092JA24 , 2H092MA08 , 2H092MA31 , 2H092NA27 , 2H092PA01 , 2H092PA11 , 2H092PA13 , 5F052AA02 , 5F052DA02 , 5F052DB02 , 5F052JA01 , 5F052JA04 , 5F052JA06 , 5F052JA07 , 5F052JA09 , 5F052KB04 , 5F052KB09 , 5F110AA30 , 5F110BB02 , 5F110BB04 , 5F110CC02 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD07 , 5F110DD13 , 5F110EE04 , 5F110EE09 , 5F110EE14 , 5F110FF02 , 5F110FF23 , 5F110FF29 , 5F110GG02 , 5F110GG13 , 5F110GG25 , 5F110GG47 , 5F110HJ01 , 5F110HJ13 , 5F110HL03 , 5F110NN02 , 5F110NN72 , 5F110PP04 , 5F110QQ09 , 5F110QQ11 , 5F110QQ16

引用特許：

審査官引用 (1件)

特表平6-504139

前のページに戻る