特許
J-GLOBAL ID：200903094636964840
半導体発光装置及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
丹羽 宏之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-116638
公開番号（公開出願番号）：特開2000-307147
出願日： 1999年04月23日
公開日（公表日）： 2000年11月02日
要約：
【要約】【課題】 GaP,GaAsP系のLEDチップにおいて、樹脂モールド後の応力による素子の劣化を防止し、低温時においても良好な発光光度が得られるようにする。【解決手段】 n-GaP基板1上にn-GaAsP層2及びp-GaAsP層3を有したウエハのn-GaP基板側を切削して総厚みを140〜200μmとし、p電極4及びn電極5を形成した後、裁断を行って素子分離する。
請求項（抜粋）：
GaP系の基板上にGaAsP系の半導体層を設け、厚さが略140〜200μmとなるように形成したことを特徴とする半導体発光装置。
Fターム (5件)：
5F041AA09
, 5F041AA43
, 5F041CA37
, 5F041CA38
, 5F041CA76
