特許
J-GLOBAL ID：200903094637240056
半導体加速度センサ
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
菊谷 公男 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-293684
公開番号（公開出願番号）：特開平5-107262
出願日： 1991年10月14日
公開日（公表日）： 1993年04月27日
要約：
【要約】【目的】 自己診断のために特別の駆動電源を設ける必要がなく、また機械構造的に精度を必要としない自己診断回路を備えた半導体加速度センサとする。【構成】 半導体加速度センサのピエゾ抵抗ブリッジ回路26に駆動回路としての電流源回路32が接続され、ブリッジ回路の出力端子P1には診断抵抗28の一端が接続され、診断抵抗の他端は、スイッチ34を介して接地される。スイッチオンにより擬似加速度状態をつくる。薄膜抵抗を半導体基体上に形成して診断抵抗28とする。
請求項（抜粋）：
半導体基体が固定部と質量部とこれら固定部と質量部とを接続する薄肉の梁とに区分けされ、前記梁上にピエゾ抵抗を有し、前記質量部の変位による前記ピエゾ抵抗の抵抗値変化をブリッジ回路で検出する半導体加速度センサにおいて、前記ブリッジ回路の出力端子の一端に設けられた診断抵抗と、診断信号を受けて前記ブリッジ回路の出力端子と接地との間を前記診断抵抗を介して接続するスイッチを有する自己診断回路を備え、前記診断抵抗が前記半導体基体上に形成された薄膜抵抗で構成されていることを特徴とする半導体加速度センサ。
IPC (4件)：
G01P 15/12
, G01P 21/00
, G01R 17/12
, H01L 29/84
