特許
J-GLOBAL ID:200903094637992465
半導体光素子
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
岩佐 義幸
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平3-248160
公開番号(公開出願番号):特開平5-090329
出願日: 1991年09月27日
公開日(公表日): 1993年04月09日
要約:
【要約】【目的】 フリップチップ実装する半導体光素子において、セルフアラインの位置精度を向上させる。【構成】 半導体発光素子において、フリップチップ実装用Auバンプ3,4を凹状に形成する。これにより、融着面積が大きくなり位置精度が向上する。
請求項(抜粋):
サブマウントのAuSnもしくはPbSnのバンプ上にフリップチップ実装された半導体光素子であって、素子のバンプ電極が凹状になっていることを特徴とする半導体光素子。
IPC (4件):
H01L 21/60 311
, H01L 31/10
, H01L 33/00
, H01L 29/90
引用特許:
審査官引用 (2件)
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特開昭62-279645
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特開昭55-140280
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