半導体装置およびその製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小川勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-188519
公開番号（公開出願番号）：特開2000-021860
出願日： 1998年07月03日
公開日（公表日）： 2000年01月21日
要約：

【要約】【課題】露光波長の短波長化、例えばエキシマレーザによる微細レジストパターンの形成には、レジスト膜厚の薄膜化が必須である。しかし、レジスト膜厚の薄膜化を進めるとドライエッチング耐性が著しく劣化する問題を生じる。【解決手段】反射防止膜、ないしその一部に、ドライエッチング耐性の大きいアルミニウム絶縁膜104を用いる。【効果】微細レジストパターンが得られると同時に、アルミニウム絶縁膜がドライエッチング時のマスク材として機能するので、レジストパターンがたとえドライエッチング途中でなくなっても、所望のドライエッチング形状が得られる。

請求項（抜粋）：

基体と、前記基体上に形成された開口部を有する第1の膜と、前記第1の膜の上面に形成された、アルミニウム原子を含む絶縁膜とを有することを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 21/3065 , G02B 1/11 , H01L 21/027 , H01L 21/31 , H01L 21/316

FI (5件)：

H01L 21/302 H , H01L 21/31 B , H01L 21/316 M , G02B 1/10 A , H01L 21/30 574

Fターム (59件)：

2K009AA02 , 2K009BB04 , 2K009CC03 , 2K009DD04 , 5F004AA04 , 5F004AA11 , 5F004DA01 , 5F004DA04 , 5F004DA16 , 5F004DA23 , 5F004DA26 , 5F004DB00 , 5F004DB01 , 5F004DB03 , 5F004DB07 , 5F004EA04 , 5F004EA22 , 5F004EA26 , 5F004EB04 , 5F004EB05 , 5F045AA03 , 5F045AA06 , 5F045AA08 , 5F045AA19 , 5F045AB31 , 5F045AB32 , 5F045AB33 , 5F045AB34 , 5F045AC07 , 5F045CB06 , 5F045DC52 , 5F045DC63 , 5F045EB19 , 5F045GH03 , 5F045HA13 , 5F045HA16 , 5F046CA04 , 5F046PA03 , 5F046PA04 , 5F046PA05 , 5F046PA13 , 5F058BC02 , 5F058BC08 , 5F058BC11 , 5F058BD05 , 5F058BD15 , 5F058BD18 , 5F058BF04 , 5F058BF07 , 5F058BF12 , 5F058BF25 , 5F058BF27 , 5F058BF46 , 5F058BF54 , 5F058BF55 , 5F058BF61 , 5F058BH12 , 5F058BJ02 , 5F058BJ10

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