特許
J-GLOBAL ID:200903094639939251
単層カーボンナノチューブの製造方法
発明者:
,
,
,
,
,
,
,
出願人/特許権者:
,
,
,
,
,
,
,
,
代理人 (1件):
西澤 利夫
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-225470
公開番号(公開出願番号):特開2000-063112
出願日: 1998年07月25日
公開日(公表日): 2000年02月29日
要約:
【要約】【課題】 簡便な手段で、経済的に、均質な単層カーボンナノチューブを室温で効率的に製造する。【解決手段】 不活性ガス雰囲気中において、少量の金属を混入した炭素ターゲット物質に対して高出力CO2 ガスレーザ光を照射して炭素レーザ蒸発を行う。
請求項(抜粋):
不活性ガス雰囲気中に、少量の金属を混入した炭素ターゲット物質に対して高出力CO2 ガスレーザ光を照射して炭素レーザ蒸発を行うことを特徴とする単層カーボンナノチューブの製造方法。
IPC (2件):
C01B 31/02 101
, D01F 9/127
FI (2件):
C01B 31/02 101 F
, D01F 9/127
Fターム (12件):
4G046CA00
, 4G046CC06
, 4G046CC09
, 4L037CS03
, 4L037FA02
, 4L037FA03
, 4L037FA04
, 4L037FA05
, 4L037PA01
, 4L037PA17
, 4L037PA28
, 4L037UA20
引用文献:
前のページに戻る