特許

J-GLOBAL ID：200903094640413620

面発光半導体レーザ

発明者： 田所 貴志 ,  近藤 康洋
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 光石 俊郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-169923
公開番号（公開出願番号）：特開平7-030187
出願日： 1993年07月09日
公開日（公表日）： 1995年01月31日
要約：

【要約】【目的】 光通信に適した1.3μm帯あるいは1.5μm帯に発振波長を持つ面発光半導体レーザを提供する。【構成】 この面発光半導体レーザは、n型GaAs基板1上に、反射鏡2であるn型AlAs(0.130μm)とn型GaAs(0.108μm)とを25対積層し、次いで発光層3である単結晶(Ge2)b(GaAs)1-bを0.44μm成長し、反射鏡4であるp型AlAs(0.130μm)とp型GaAs(0.108μm)とを25対積層し、次いでGaAs基板1の裏面を研磨した後、Au、Ge、Niを使いオーミック電極6を形成し、次に、反射鏡4の最終成長層のGaAs層上にリフトオフによりCr、Auのオーミック電極5を形成し、その後、H2SO4:H2O2:H2O=4:1:1の混合液を用い、円柱状または四角柱状にエッチングしてなる。

請求項（抜粋）：

基板と直交する垂直方向に光を出射させる面発光半導体レーザにおいて、上記基板としてGaAsを使用し、反射鏡としてx値の異なる数種のAlxGa1-xAs半導体の多層膜、あるいは、y値の異なる数種の(AlyGa1-y)0.51In0.49P半導体の多層膜、または上記半導体の組み合わせからなる半導体多層膜を使用し、且つ活性層にはInaGa1-aAs半導体、または、(Ge2)b(GaAs)1-b半導体を使用することを特徴とする面発光半導体レーザ。